Потолок валентной зоны

Шаблон:Нет ссылок Потоло́к вале́нтной зо́ны — самое высокое по энергии состояние в валентной зоне полупроводника, а также энергия этого состояния. Состояние задаётся волновым вектором электрона ${\overrightarrow{k}}_{v0}$, а энергия имеет стандартное обозначение $E_v$.

Потолок валентной зоны обычно находится в центре зоны Бриллюэна (в Γ-точке) и является вырожденным, так как там происходит касание двух ветвей дисперсионного соотношения $E(\overrightarrow{k})$, связывающего энергию электрона (дырки) и волновой вектор.

Для органических полупроводников, вместо термина «потолок валентной зоны», используется понятие самая высокая занятая молекулярная орбиталь (Шаблон:Lang-en).

Если дно зоны проводимости и потолок валентной зоны полупроводника находятся в одной и той же точке зоны Бриллюэна (${\overrightarrow{k}}_{c0}={\overrightarrow{k}}_{v0}$, обычно = 0), такой материал называется прямозонным (пример: GaAs), а если в разных — непрямозонным (пример: Si).

Литература

• Шаблон:Книга

• Шаблон:Книга