Результаты поиска
Перейти к навигации
Перейти к поиску
- ...полупроводниковые приборы|полупроводниковых приборов]] методом [[Планарная технология|планарной технологии]]. В этом качестве применяется для образования в припо Технология ионного имплантирования обеспечивает внедрение заданного количества практич ...24 КБ (368 слов) - 14:41, 25 декабря 2023
- ...pattern generation alternative is a laser-based system»</ref>, однако эта технология имеет меньшее разрешение<ref>''Peter Buck'' (DuPont Photomasks), [http://ww * [[KLA-Tencor]] Corp. (Milpitas, California) — технология Reflective Electron Beam Lithography (REBL); ...25 КБ (798 слов) - 18:14, 8 октября 2024
- * [[Эпитаксия|Эпитаксиально]]-[[Планарная технология|планарная]] ...38 КБ (934 слова) - 14:55, 12 января 2025
- ...м]], а также [[Оптоэлектроника|оптоэлектронных приборов]] (см. [[Планарная технология]]). * Нашельский А. Я., Технология полупроводниковых материалов, М., 1987 ...60 КБ (942 слова) - 09:39, 11 марта 2024
- ...комплементарные пары npn- и pnp-транзисторов. Первую [[Интегральная схема#Технология изготовления|полупроводниковую ИС]] ячейки Блэкмера вывела на рынок компани ...52 КБ (1001 слово) - 08:26, 11 января 2024
- ...створа. Растворитель удаляется путём обдувания сжатым воздухом или азотом. Технология позволяет создавать узкие зоны веществ, что способствует максимальному разр * {{книга|автор=Гейсс Ф.|заглавие=Основы тонкослойной хроматографии (планарная хроматография) = Fundamentals of Thin Layer Chromatography (Planar Chromato ...67 КБ (846 слов) - 16:44, 23 октября 2024
- ...ний|монокристаллического кремния]] по диффузионно-сплавной или [[планарная технология|планарной]] технологии, маломощные — по планарной, реже [[Изобретение транз ...на базе обратно-смещённого эмиттерного перехода интегрального [[Планарная технология|планарного]] [[биполярный транзистор|npn-транзистора]] («поверхностный стаб ...118 КБ (1962 слова) - 00:12, 20 октября 2024
- ...w|Эрни, Жан|Жан Эрни|en|Jean Hoerni}} создал первый кремниевый [[Планарная технология|планарный транзистор]]. Кремний вытеснил германий, а планарный процесс стал ...61 КБ (747 слов) - 16:50, 27 ноября 2024
- ...ьный стабилизатор напряжения. Опорное напряжение LM100 задавал [[планарная технология|планарный]] стабилитрон, сформированный непосредственно в кристалле микросх ...105 КБ (2742 слова) - 19:54, 29 марта 2023