Результаты поиска
Перейти к навигации
Перейти к поиску
- [[Категория:Транзисторы]] ...2 КБ (54 слова) - 07:38, 25 апреля 2016
- ...транзистор#Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)|полевые транзисторы с изолированным затвором]]. ...9 КБ (167 слов) - 17:33, 20 октября 2024
- Однопереходные транзисторы получили широкое применение в различных устройствах автоматики, импульсной В связи с относительно большим объёмом базы однопереходные транзисторы уступают биполярным по частотным характеристикам<ref name="uth">''В. В. Пас ...13 КБ (244 слова) - 23:05, 26 февраля 2025
- [[Категория:Транзисторы]] ...3 КБ (105 слов) - 12:39, 25 августа 2021
- == Биполярные транзисторы == ...8 КБ (180 слов) - 10:07, 26 августа 2023
- == Биполярные транзисторы == == Полевые транзисторы малой мощности == ...17 КБ (294 слова) - 14:41, 28 июня 2023
- ...двух (редко — трёх или более) биполярных<ref>[[полевой транзистор|Полевые транзисторы]], в отличие от биполярных, не используются в составном включении, так как ...могут служить серии одиночных транзисторов КТ3102, КТ3107. Однако и такие транзисторы иногда объединяют в схеме Дарлингтона. Поэтому в относительно сильноточных ...23 КБ (298 слов) - 20:11, 17 февраля 2025
- Транзисторы дифференциального усилителя могут быть [[Биполярный транзистор|биполярными] [[Категория:Транзисторы]] ...10 КБ (180 слов) - 05:17, 26 декабря 2024
- ...зновидность [[полевой транзистор#Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)|полевых транзисторов]]. Аббревиатура МОП образована от слов «металл-оксид- ...правляются напряжением, так как затвор изолирован от стока и истока; такие транзисторы обладают очень высоким [[Внутреннее сопротивление|входным сопротивлением]]. ...27 КБ (523 слова) - 12:51, 20 марта 2025
- Часть схемы, обведённая синей линией, является дифференциальным усилителем. Транзисторы Q1 и Q2 работают как [[эмиттерный повторитель|эмиттерные повторители]], они ...тся, поскольку для дифференциальных входных сигналов сигнальные токи через транзисторы Q3 и Q4 равны по абсолютному значению и противоположны по направлению. ...17 КБ (195 слов) - 13:08, 21 февраля 2025
- ...и|диодами Шоттки]] или диодами с барьером Шоттки (ДШБ). Существуют также [[транзисторы Шоттки]]. ...6 КБ (127 слов) - 14:41, 20 марта 2022
- ...[Полупроводниковые приборы|полупроводниковых приборов]], таких как диоды и транзисторы. ...5 КБ (157 слов) - 23:37, 5 июля 2024
- ...талл-оксид-полупроводник»)-транзисторами, причём последние подразделяют на транзисторы со встроенным каналом и приборы с индуцированным каналом. === Транзисторы с управляющим p-n-переходом ===<!--Заголовок используется для перенаправлен ...45 КБ (403 слова) - 18:17, 15 февраля 2025
- ...ы с модулированным легированием, селективно-легированные гетероструктурные транзисторы (СЛГТ){{нет АИ|10|10|2014}}. ...продемонстрированы {{iw|Биполярный транзистор с гетеропереходом|биполярные транзисторы на гетеропереходе|en|Heterojunction bipolar transistor}} ({{lang-en|HBT}}) ...32 КБ (655 слов) - 16:01, 25 января 2024
- ...также представляют собой простейшие компараторы. Усилителями являются КМОП-транзисторы. Логические функции выполняются комбинациями параллельно и последовательно Транзисторы могут работать в инверсном режиме, но с меньшим коэффициентом усиления. Это ...36 КБ (739 слов) - 11:49, 16 мая 2024
- ...промышленность не научилась создавать высококачественные интегральные pnp-транзисторы, а стоимость комплементарных микросхем не снизилась до уровня обычных ОУ<re ...b|200px|Восьмитранзисторное ядро с нулевым сдвигом уровней. Дополнительные транзисторы в диодном включении выделены красным]] ...47 КБ (1129 слов) - 21:33, 17 октября 2023
- [[Категория:Транзисторы]] ...9 КБ (367 слов) - 12:41, 7 января 2024
- ...p-типа|''p''-полупроводник]], коллектор — ''n''-полупроводник) и ''p-n-p'' транзисторы. К каждому из слоёв подключены проводящие [[Омический контакт|невыпрямляющи ...ения эмиттерного перехода не критична, так как обычно в электронных схемах транзисторы работают с прямосмещённым эмиттерным переходом. Кроме того, сильное легиров ...38 КБ (934 слова) - 14:55, 12 января 2025
- ...3 году были получены первые экспериментальные [[Полевой транзистор|полевые транзисторы]] из нитрида галлия<ref>{{статья|автор=Asif Khan, M.|заглавие=Metal semicon ...более высоких температурах и [[Электрическое напряжение|напряжениях]], чем транзисторы из [[Арсенид галлия|арсенида галлия]], этот материал становится всё более п ...27 КБ (1038 слов) - 07:26, 3 июня 2024
- ...оответствующие выводы; направление всех токов можно инвертировать, заменив транзисторы на комплементарные, а отрицательное напряжение питания — на положительное{{ ...ысокочастотные pnp-транзисторы; медленные [[боковой транзистор|боковые pnp-транзисторы]], доступные разработчикам ИС в 1970-е годы, для быстрых аналоговых ИС не п ...31 КБ (916 слов) - 19:51, 12 декабря 2023