Файл:Концентрация ионно-имплантированного B в Si.svg
Перейти к навигации
Перейти к поиску
Размер этого PNG-превью для исходного SVG-файла: 691 × 476 пкс. Другие разрешения: 320 × 220 пкс | 640 × 441 пкс | 1024 × 705 пкс | 1280 × 882 пкс | 2560 × 1763 пкс.
Исходный файл (SVG-файл, номинально 691 × 476 пкс, размер файла: 3 КБ)
Краткое описание
| Описание |
Русский: Профиль концентрации по глубине ионно-имплантированного бора в монокристаллический кремний при разной энергии ионов бора. |
| Дата | |
| Источник | Зорин Е. И., Павлов П. В., Тетельбаум Д. И. Ионное легирование полупроводников. — М.: Энергия, 1975. — 128 с. |
| Автор | Д.Ильин: vectorization |
|
Этот SVG-файл включает встроенный текст, который может быть переведён на ваш язык с помощью любого SVG-редактора, текстового редактора или Инструмента по переводу SVG-файлов. За подробной информацией обратитесь к статье О переводе SVG-файлов. |
Лицензирование
Я, владелец авторских прав на это произведение, добровольно публикую его на условиях следующей лицензии:
 
|
Этот файл доступен на условиях Creative Commons CC0 1.0 Универсальной передачи в общественное достояние (Universal Public Domain Dedication). |
| Лица, связанные с работой над этим произведением, решили передать данное произведение в общественное достояние, отказавшись от всех прав на произведение по всему миру в рамках закона об авторских правах (а также связанных и смежных прав), в той степени, которую допускает закон. Вы можете копировать, изменять, распространять и исполнять данное произведение в любых целях, в том числе в коммерческих, без получения на это разрешения автора.
|
История файла
Нажмите на дату/время, чтобы увидеть версию файла от того времени.
| Дата/время | Миниатюра | Размеры | Участник | Примечание | |
|---|---|---|---|---|---|
| текущий | 15:36, 11 ноября 2020 | | 691 × 476 (3 КБ) | wikimediacommons>Д.Ильин | Optimization. Fix HTML-errors. |
Использование файла
Следующая страница использует этот файл:
