Ударная ионизация

Материал из testwiki
Перейти к навигации Перейти к поиску

Уда́рная иониза́ция — физическая модель, описывающая ионизацию атома при «ударе о него» электрона или другой заряженной частицы — например, позитрона, иона или «дырки». Явление наблюдается как в газах, так и в твёрдых телах, например в полупроводниках.

В полупроводниках электрон или дырка, обладающие достаточно высокой кинетической энергией (по крайней мере превосходящей ширину запрещённой зоны), могут ионизовать кристалл и создать в нём электронно-дырочную пару. В состояния с высокой энергией носители заряда попадают в сильном электрическом поле, а также при поглощении фотона или при инжекции (через туннельный барьер или гетеропереход с разрывом зон на границе).

Количественные характеристики

Для количественного описания ионизации в сильном поле F служит коэффициент ударной ионизации (см-1)

αii=aexp(b/F),a=const,b=const.

Он задаёт число ионизаций, осуществляемых одним электроном, дыркой или другой частицей на единичном пути, и играет роль показателя интенсивности размножения. Символы ii означают Шаблон:Lang-en.

При моделировании, особенно методом Монте-Карло, поведения высокоэнергетичных носителей используют темп ударной ионизации τii1-1) как функцию энергии. Темп — это обратное характерное время до соответствующего события, в данном случае до акта ионизации.

Мерой ударной ионизации может также выступать квантовый выход Pii — среднее число ионизаций, совершаемых частицей при движении в рассматриваемой области, например от инжекции до полной релаксации по энергии.

Для электронов в одном из основных материалов полупроводниковой техники — кремнии, αii составляет 103 см-1 при F=2105 В/см и 105 см-1 при F=5105 В/см. Темп τii1(E)-1) изменяется с энергией электрона E, отсчитываемой в эВ от края зоны проводимости Si, примерно как 1011(EEg)4.6, а выход Pii(E) в случае F=0 равен 0.01 для E=2.1 эВ и 0.5 для E=3.6 эВ[1]. Энергетическим порогом для τii1(E) и Pii(E), ниже которого эти величины равны нулю, является ширина запрещённой зоны Eg (1.1 эВ).

Значимость ударной ионизации

Шаблон:В планах

См. также

Примечания

Шаблон:Примечания

Литература

Шаблон:Внешние ссылки Шаблон:Phys-stub Шаблон:Rq

  1. K. Taniguchi et al. Monte Carlo Simulation of Impact ionization processes in silicon Шаблон:Wayback, Proc. Intl. Workshop on Computational Electronics - IWCE'1994, Portland, USA, pp. 19-24 (см. рис. 1, 3, 6 в конце).