Закон Вегарда

Закон Вегарда — апроксимированное эмпирическое правило, которое гласит, что существует линейная зависимость при постоянной температуре между свойствами кристаллической решётки сплава и концентрацией отдельных его элементов.

Таким образом, параметры кристаллической решётки ($𝑎$) твёрдого раствора (сплава) материалов с одинаковой структурой решётки, могут быть найдены путём линейной интерполяции между параметрами решётки исходных соединений, например для твёрдых растворов Si_xGe_1-x и InP_xAs_1-x:

${𝑎}_{\text{SiGe}}=𝑥{𝑎}_{\text{Si}}+(1-𝑥){𝑎}_{\text{Ge}}$

${𝑎}_{\text{InPAs}}=𝑥{𝑎}_{\text{InP}}+(1-𝑥){𝑎}_{\text{InAs}}$.

Можно также расширить это соотношение для определения энергии запрещенной зоны полупроводника. Используя, как и в предыдущем случае, InP_xAs_1-x, можно найти выражение, которое описывает зависимость энергии запрещенной зоны полупроводника ${𝐸}_{𝑔}$ от соотношения её составляющих и параметра $𝑏$ где $𝑏$-параметр прогиба(нелинейности), имеющий тем большее значение, чем сильнее различие периодов решёток компонентов:

${𝐸}_{g,\text{InPAs}}=𝑥{𝐸}_{g,\text{InP}}+(1-𝑥){𝐸}_{g,\text{InAs}}-𝑏𝑥(1-𝑥)$

См. также

• Изоморфизм