Надбарьерное отражение

Материал из testwiki
Перейти к навигации Перейти к поиску

Надбарье́рное отраже́ние — термин, употребляемый в квантовой механике для описания невозможного в классической физике явления отражения движущейся частицы от потенциального барьера, максимальная высота которого Umax меньше полной энергии частицы E. Коэффициент отражения определяется формой барьера (в одномерном случае U(x)), а также энергией и массой частицы. При этом коэффициент прохождения оказывается меньше единицы. Аналогичный эффект имеет место при прохождении частицы над потенциальной ступенькой или квантовой ямой.

Подход к рассмотрению

Независимо от профиля потенциала U(x) движение частицы рассматривается с использованием стационарного уравнения Шрёдингера. Принимается, что частица движется слева направо (вдоль оси x), потенциал на большом расстоянии слева от барьера равен нулю, а справа V0 (возможно, V0 тоже равно нулю). В таком случае волновые функции слева и справа от барьера представляют собой плоские волны вида:

ψ1(x)=eik1x+reik1x (далеко слева),
ψ2(x)=teik2x (далеко справа).
k1=2m1E2 и k2=2m2(EV0)2 — модули волновых векторов.

Масса m, вообще говоря, может различаться по областям, почему её символ и снабжён дополнительным индексом; — постоянная Планка.

Если профиль U(x) содержит резкие скачки, то на всех границах должно выполняться условие «сшивки» волновой функции ψ и токов вероятности; последнее требует обеспечения непрерывности величины ψ'/m.

В процессе решения уравнения Шрёдингера определяются неизвестные константы r и t, с использованием которых далее находятся коэффициенты отражения и прохождения:

R=|r|2,T=k2m1m2k1|t|2.

Ниже представлены результаты такого рассмотрения для нескольких систем.

Примеры

Скачок потенциальной энергии

Шаблон:Main

Потенциальная энергия как функция координаты

Задача о переходе частицы, без изменения её массы, в область с другой потенциальной энергией V0=V, имеет следующее решение:

r=k1k2k1+k2,t=2k1k1+k2.

Коэффициенты отражения и прохождения составляют

R=(11V/E1+1V/E)2,T=41V/E(1+1V/E)2.

Коэффициент отражения имеет конечное значение, но при стремлении E к бесконечности он стремится к нулю.

Прямоугольный потенциальный барьер

Шаблон:Main

Потенциальная энергия как функция координаты

В случае прямоугольного барьера потенциал по обе его стороны нулевой (и V0=0). Условия сшивки действуют на двух границах: при x=0 и x=a. Волновые векторы слева-справа и в барьере составляют

k1=k2=2mE2,kb=2m(EV)2.

Результат для коэффициентов отражения и прохождения:

R=1T,T=11+(k12kb2)24k12kb2sin2kba.

При E>V коэффициент отражения в общем случае отличен от нуля. Но при определённых энергиях E становится R=0 из-за обнуления синуса.

Изменение эффективной массы

Потенциальная энергия, как функция координаты неизменна, но масса для частицы слева и справа от нуля различна

В данном случае коэффициенты r и t рассчитываются по формулам:

r=m1m2m1+m2,t=2m1m1+m2.

Соответственно, коэффициенты отражения и прохождения составят

R=(m1m2m1+m2)2,T=4m1m2(m1+m2)2.

При равенстве эффективных масс нет никакого отражения.

Бесконечная квантовая яма

Шаблон:Main

Прохождение частицы над ямой в виде дельта-функции

Дельтообразная квантовая яма — это потенциал вида U(x)=λ/mδ(x), где λ=const<0.

Примечание: при наличии δ-функциональных особенностей потенциала несколько изменяются условия сшивки производных, вытекающие из требования непрерывности тока, см. конкретнее.

Коэффициенты отражения и прохождения для такой ямы составляют

R=|r|2=11+2m2Eλ2,T=|t|2=11+λ22m2E.

Получается, что отражение частицы возможно при её надъямном движении с любой энергией E, хотя при повышении энергии вероятность отражения снижается.

Практическая релевантность

Все типы структур, представленные выше, встречаются или могут быть созданы на практике. В технологии полупроводниковых гетероструктур есть возможность получения многослойных систем с различными материалами. Поскольку возможности варьирования комбинаций материалов достаточно широки, вполне реально получение желаемых высот барьеров (от долей эВ до нескольких эВ) и величин эффективной массы. Соответственно, роль профиля потенциала U(x) будет играть профиль зоны проводимости Ec(x).

Литература