Принц, Виктор Яковлевич

Ви́ктор Я́ковлевич Принц (21 апреля 1950, Тавда, Свердловская область — 24 июня 2021, Новосибирск, Новосибирская область) — советский и российский Шаблон:Физик, доктор физико-математических наук (2005), член-корреспондент РАН (2019). Специалист в области полупроводников и нанотехнологий. Занимался вопросами диагностики и контроля качества многослойных структур. Разработал технологию создания трёхмерных наноструктур из планарных гетероструктур, состоящих из полупроводников, металлов, диэлектриков и двумерных материалов. Инициировал работы по созданию самоформирующихся массивов трёхмерных наноструктур: монокристаллических нанонитей и нанокристаллов со встроенными металлическими наноиглами.

Биография

Родился 21 апреля 1950 года в городе Тавде Свердловской области в семье высланных в начале Великой Отечественной войны крымских немцев, где с апреля 1941 по август 1945 гг. находился Тавдинский ИТЛ. После разрешения в 1956 году покинуть поселение семья переехала в город в Тараз в Казахстан. Используя приусадебный участок семья смогла выжить. Отец стал работал на заводе в литейном цехе, а мать — учителем.

В 1972 году окончил Новосибирский государственный университет по специальности «физика». С этого же года начал работать в Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН в должностях младшего, затем старшего научного сотрудникаШаблон:Sfn. В 1981 году защитил кандидатскую диссертацию «Исследование электрически активных центров в арсениде галлия и твёрдых растворах на его основе методами ёмкостной спектроскопии» под руководством Александра Филипповича Кравченко. В начале 1980-х годов В. Я. Принц занимался прикладными исследованиями, связанными с микроэлектроникой. В частности, решал проблему контроля качества полупроводниковых материалов, используемых для создания интегральных схем и СВЧ полевых транзисторов.

С 1992 года — заведующий лабораторией физики и технологии трёхмерных наноструктурШаблон:Sfn. В начале 1990-х годов заинтересовался напряжёнными плёнками полупроводников и исследовал управляемые трещины в них. Разработка технологии сворачивания напряжённых двойных слоёв привела к появлению нового раздела наномеханики в 2000 году, которое впоследствии получило в русскоязычной литературе название Принц-технологииШаблон:Sfn. 18 октября 2005 года защитил докторскую диссертацию «Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряжённых гетероструктур» (официальные оппоненты — В. Н. Брудный, Н. Ф. Морозов, А. В. Окотруб).

Являлся экспертом по физике и нанотехнологии «Сколково», РФФИ, группы ОНЭКСИМ, входил в федеральный реестр экспертов ФГБНУ НИИ РИНКЦЭШаблон:Sfn. На протяжении многих лет являлся рецензентом журналов издательства IOP Publishing. Член редколлегии научного журнала ISRN NanotechnologyШаблон:Sfn.

Автор 140 научных работ, 34 патентов и 4 монографий (согласно другим данным: 240 статей и 120 патентов). По состоянию на сентябрь 2023 года имел более 2700 цитирований (Web of Science) своих работ. Индекс Хирша (2023) — 23.

Умер 24 июня 2021 года от COVID-19. Похоронен на Южном кладбище Новосибирска.

Сын — Александр Викторович Принц. Двоюродный дедушка — академик Яков Иванович Принц.

Научный вклад

Шаблон:Main Тройные растворы полупроводников с составом типа A_xC_1-xB (например, In_0,25Ga_0,75As) имеют отличающуюся от полупроводников A^IIIB^V (например, GaAs, InAs) постоянную решётки, поэтому при эпитаксиальном росте в таких структурах возникают сильные механические напряжения. Такой рост называют псевдоморфным и существует критическая толщина плёнки, при которой она остаётся согласованной по постоянной решётке с подложкойШаблон:Sfn. Для пары материалов GaAs и InAs разница в постоянных решётки достигает 7,2 %, то есть возможно вырастить напряжённую плёнку толщиной только в несколько монослоёв на подложке InP. GaAs и InAs подстраиваются под постоянную решётки InP, в результате формируя Шаблон:Комм, состоящую из сжатого слоя InAs и растягнутого — GaAs. В. Я. Принц предложилШаблон:Sfn использовать биплёнки с асимметричным напряжением, выращенных на InP подложке с дополнительным тонким слоем AlAs, расположенным между подложкой и псевдоморфной плёнкойШаблон:Sfn. Этот метод получил название Принц-технология. Если удалить жертвенный слой (AlAs) посредством селективного травления, релаксация напряжений в бислое приводит к сворачиванию структуры, формируя свиток с диаметром порядка $D\approx da/\mathrm{\Delta }a,$ где d — толщина биплёнки, a — постоянная решётки, Δa — разница в постоянных решётки между двумя слоями плёнкиШаблон:Sfn. Полученные свитки имели диаметр в диапазоне между 3 нм и 10 мкм. Из-за анизотропии модуля Юнга, ориентируя узкие полоски бислоёв на подложках, можно создавать спирали и кольцаШаблон:Sfn. Управляя составом (постоянной решёткой) и толщиной бислоя, можно управлять размером трёхмерных наноструктур. В 2001 году были продемонстрированы различные свободные трёхмерные массивы наноструктур на основе Ge_xSi_1-x псевдоморфных плёнокШаблон:SfnШаблон:Sfn.

В лаборатории В. Я. Принца изучался диоксид ванадия, который может испытывать фазовый переход из проводника в диэлектрик при комнатной температуре, при котором меняются параметры его кристаллической структуры на один процент, что вызывает формирование больших напряжений и приводит к разрушению кристаллов. Создавая малую площадь кремниевой подложки и фиксируя температуру роста VO₂ около 460 °C, можно получить монокристаллы диоксида ванадия на остриях кремниевых игл.

Статьи

Основные статьи

• Шаблон:Статья
• Шаблон:Статья
• Шаблон:Статья
• Шаблон:Статья
• Шаблон:Cite book

Статьи на русском языке

• Шаблон:Статья
• Шаблон:Книга

Диссертации

• Шаблон:Книга
• Шаблон:Книга

Литература

• Шаблон:Книга

Ссылки

• Шаблон:Ras
• Шаблон:Cite web
• Шаблон:Cite web
• Шаблон:Cite web
• Шаблон:Cite web
• Шаблон:Статья
• Шаблон:YouTube
• Шаблон:Cite web
• Шаблон:Cite web