Частота Раби

Материал из testwiki
Перейти к навигации Перейти к поиску
Поведение во времени населённости возбуждённого состояния e двухуровневого атома для разных ситуаций: без учёта (красная линия) и с учётом (синяя линия) «оттока» населённости на другие, третьи уровни. Населённость уровней в обоих случаях осциллирует с частотой Раби Ω0 Коричневая линия показывает изменение количества атомов при спонтанном распаде с возбуждённого e на спонтанный g уровень.

Частота Раби определяется выражением

Ω0=d,

d — дипольный момент,  — электрическое поле излучения.

Двухуровневый атом:
g — основное и e — возбуждённое состояния,
ωL — внешнее резонансное излучение с частотой ωL

Из определения следует, что частота Раби количественно описывает взаимодействие резонансного излучения с дипольным моментом атома или молекулы. Под действием резонансного лазерного излучения интенсивностью 2 населённость be2(t) возбуждённого уровня атомной системы осциллирует с частотой Раби Ω0 (иногда их называют биениями Раби) [1]:

be2(t)=sin2(Ω0t2)

Происхождение термина

Термин частота Раби назван именем американского физика, уроженца Галиции, лауреата Нобелевской премии по физике (1944 г.) Исидора Раби. В 1937 году Раби исследовал прецессию магнитного дипольного момента атома со спином 1/2 в магнитном поле и вероятность изменения направления спина атома на противоположное. Оказалось, что «переворот» спина происходит с частотой Раби, величина которой определяется выше приведенной формулой (Шаблон:Lang-en).

Обобщённая частота Раби

Для нерезонансного света вводится так называемая Обобщённая частота Раби Ω'.

Ω'=|Ω0|2+|Δ|2

где Δ=ωLω0 есть отстройка лазерного света от резонансного атомного перехода. Обобщённая частота Раби участвует в модели Джейнса-Каммингса, которая является самой простой и в то же время адекватной моделью взаимодействия двухуровнего атома с одной модой квантованного поля в резонаторе с высокой добротностью.

Вакуумная частота Раби

В 1946 г. Парселл обратил внимание на то, что скорость спонтанного излучения двухуровневой системы, помещённой в резонатор, увеличивается пропорционально отношению Q/V по сравнению со скоростью спонтанного излучения в свободном пространстве (эффект Парселла) [2]; здесь
Q,V — добротность и объём моды резонатора соответственно. Если добротность резонатора Q=ω/Δωc велика, так что Ω/Δωc>1, то спонтанное излучение становится обратимым, а атом обменивается энергией с созданным им же полем со скоростью, определяемой вакуумной частотой Раби Ω0v.

Предположим, мы имеем пустой высокодобротный одномодовый резонатор. Если в такой резонатор влетает атом, находящийся в возбуждённом состоянии e, то вакуумные флуктуации моды резонатора сынициируют спонтанное испускание атомом фотона. В результате атом окажется в основном состоянии g. Так как резонатор добротный, то испущенный фотон перепоглотится, и атом снова перейдёт в возбуждённое состояние. Таким образом, вследствие вакуумных флуктуаций поля в резонаторе атом будет осциллировать между его уровнями. Такие осцилляции напоминают поведение атома под действием резонансного лазерного поля, поэтому описанные переходы атома из состояния g в состояние e и обратно, вызванные вакуумными флуктуациями поля в пустом добротном резонаторе, называют вакуумной частотой Раби Ω0v.

Вакуумные осцилляции наблюдались на ридберговских переходах атомов в микроволновых резонаторах [3] и на оптических переходах в микрорезонаторах [4]. Аналитическое выражение для вакуумной частоты Раби имеет вид:

Ω0v=d^E^(r),

где E^(r)=2πωVeu(r)(c+c),
V — объём моды резонатора, e — вектор поляризации моды, ω — частота поля, c+c — операторы рождения и уничтожения фотона, u(r) — описывает пространственное распределение моды резонатора.

Одетые состояния

(см. также Сизифово охлаждение#Переменный эффект Штарка)

Смещение атомных уровней g и e под действием лазерного излучения при «голубой» (a) и «красной» (b) настройке частоты лазера. Смещение атомных уровней ΔE противоположно по знаку отстройки частоты лазера

У атома, находящегося в резонансном, когерентном поле, появляются новые зависящие от времени состояния, которые описывают с помощью «одетых» состояний («одетых» полем). В строгом смысле считать их собственными состояниями нельзя, но для описания системы их охотно и успешно используют.

В основе этого понятия лежит известный эффект Штарка. Атом, помещённый во внешнее электрическое поле , меняет свою энергию. В результате энергетические уровни атома смещаются на величину ΔE=d, где d — дипольный момент атома. В 1955 г. Отлер и Таунс опубликовали работу, в которой представлены результаты исследования эффекта Штарка в интенсивных резонансных полях [5] (см. en:Autler–Townes effect). Оказалось, что под действием переменного электрического поля, в том числе при освещении светом, уровни атома также смещаются. С этого времени этот эффект называют «переменным эффектом Штарка»:

ΔE=c2Ω022δ

где Ω0=d — частота Раби, δ — отстройка частоты лазера от атомного резонанса νL В 1977 году К. Коэн-Таннуджи ввёл понятие одетые состояния.[6]

π/2 и π импульсы

Если приложить импульс поля длительностью τ так, что Ω0×τ=π, то атом перейдёт из состояния g в состояние e (см. формулу для b2(t)). Такой импульс называют π-импульс.

В случае, когда частица в результате импульсного воздействия за время τ=π2Ω0 перейдёт в суперпозиционное состояние g+e2, такой импульс называют π/2-импульсом.

Примечания

Шаблон:Примечания

Литература

УДК 535(082) ББК 22.34 52487

  • Serge Haroche and Daniel Kleppner, Cavity Quantum Electrodynamics, Physics Today, p24, January (1989),
  • В. М. Акулин, Н. В. Карлов. Интенсивные резонансные взаимодействия в квантовой электронике. – М.: Наука, 1987.
  1. Atomic Physics, Christopher J. Foot, 346 pages, ISBN 978-0-19-850695-9, ISBN 0-19-850695-3, 2005
  2. E. M. Purcell, Phys.Rev. 69, 681 (1946)
  3. [Y.Kaluzny, P.Goy, M.Gross et.al, Phys. Rev. Lett. 51, 1175 (1983)]
  4. [R.J.Tompson, G.Rempe, and H.J.Kimble, Phys .Rev. Lett. 68, 1132 (1992)]
  5. Шаблон:Статья
  6. Шаблон:Статья