Квантовый эффект Шоттки

Материал из testwiki
Версия от 18:32, 3 октября 2024; imported>Schrike (отмена правки 140559371 участника 178.46.214.162 (обс.))
(разн.) ← Предыдущая версия | Текущая версия (разн.) | Следующая версия → (разн.)
Перейти к навигации Перейти к поиску

Шаблон:Rq Квантовый эффект Шоттки — квантовый аналог классического эффекта Шоттки.

Классический эффект

Классический эффект Шоттки связан с понижением потенциального барьера в элекстрическом поле при эмиссии электронов в вакуум с поверхности металла. Электрон, который находится в вакууме на некотором расстоянии x от поверхности металла, индуцирует на поверхности металла положительный заряд. Сила притяжения между электроном и этим индуцированным поверхностным зарядом равна по величине силе притяжения к эффективному положительному заряду +q, который называют зарядом изображения. Эта сила, которая также называется силой изображения, равнаШаблон:Sfn:

F=q24π(2x)2ϵ0ϵs=q216πϵ0ϵsx2,

где ϵ0 — диэлектрическая проницаемость вакуума, ϵs — относительная диэлектрическая проницаемость поверхности полупроводника. Работа, которую нужно выполнить чтобы переместить электрон с бесконечности в точку x, равнаШаблон:Sfn:

A(x)=xFdx=q216πϵ0x,

Если приложено внешнее электрическое поле E, то потенциальная энергия электрона WP будет равна сумме:

WP(x)=q216πϵ0ϵsx+qEx эВ.

Снижение барьера Шоттки Δϕ и расстояние xm, при котором величина потенциала достигает максимума, определяется с условия d[WP(x)]dx=0. Откуда находимШаблон:Sfn:

xm=q16πϵ0ϵsE см,
Δϕ=qE4πϵ0ϵs=2Exm В.

Квантовый эффект

В общем случае квантовый эффект Шоттки связан с проблемой атома Бора, дискретная энергия которых может быть записанная в виде:

WB0=22m(naB)2,n=1,2,...

где aB- боровский радиус, и с проблемой Эйри (треугольной потенциальной ямы), что имеет энергетические уровни:

UAn=ηn(qEn2m)2/3

где ηn — корни функции Эйри. Поскольку атомная проблема относится к класса 3D- проблем (трёхмерным), а проблема Эйри есть типичная одномерная (1D-), их совместное решение представляет трудную задачу. Поэтому здесь мы воспользуемся квазиклассическим приближением первого порядка, чтобы решить проблему движения зарядов в 1D- размерности у поверхности раздела SiSiO2. Как известно, квантовое движение свободной частицы может быть представлено в виду плоской волны:

ψ(x)exp(ikx),

где k — волновой вектор, а кинетическая энергия:

W=(k)22m.

В случае наличия центров рассеяния волновой вектор удовлетворяет условию:

k(2x)=1, и потому одночастная кинетическая энергия могут быть переписана в виде:

WII=28mx2.

Рассмотрим случай наличия одной частицы, чью полную энергию можно записать в виде:

WIIΣ(X)=WII+UII=28mx2+qxE.

Дифференцируя последнее уравнение по x, получится экстремальное значение координаты:

xIIm=(24mqE)1/3

и в барьере Шоттки:

Δϕ=WIIΣ(X)q=32q(qE2m)2/3

Электрическое поле E в последнем уравнении должно иметь только дискретные значения в квантовом случае, которые можно найти следующим образом. По-видимому, что у задачи Бора используется взаимодействие двух частиц. Для двух частиц в нашем случае кинетическая энергия должна быть уменьшена в 2 раза. Тогда полная энергия может быть переписана в виде:

W2IΣ(X)=W2I+U2I=216mx2+qxE..

Дифференцируясь это уравнение получим значение координаты в точке экстремума:

x2Im=0.5(2mqE)1/3, и кинетической энергии:
W21(xm)=25/3(qE2m)2/3,

как и потенциальной энергии:

U21(xm)=22/3(qE2m)2/3.

Используя условия сшивки

W21(xm)=WBn, и U21(xm)=UA0

получится оценка для электрического поля:

E0n=23/2n3η03/2EB,,

где EB=22mqaB3=2,57111011 В/м, а η0=2,33811 — первый корень функции Эйри.

Примечания

Шаблон:Примечания

Литература

  • Шаблон:Книга
  • Yakymakha O.L., Kalnibolotskij Y.M., Solid- State Electronics, vol.37, No.10,1994.,pp.1739–1751