Колоссальное магнетосопротивление

Колоссальное магнитное сопротивление, КМС (Шаблон:Lang-en, Шаблон:Lang-en2) — квантовомеханический эффект, заключающийся в сильной зависимости электрического сопротивления материала от величины внешнего магнитного поля. Термин применяется в отношении некоторых ферромагнитных и антиферромагнитных полупроводников, обычно оксидов металлов на базе манганитов со структурой перовскита, в отличие от подобного явления в многослойных плёнках — эффект гигантского магнетосопротивления.

Математическая формулировка

Магнетосопротивлением называют зависимость электрического сопротивления образца от величины приложенного внешнего магнитного поля. Математически его записывают в виде

${\delta }_H=\frac{\rho (H)-\rho (0)}{\rho (H)},$

где $\rho (H)$ — удельное сопротивление образца в магнитном поле напряженностью $H$. На практике также применяются альтернативные формы записи, отличающиеся знаком выражения и использующие интегральное значение сопротивления (то есть полное электрическое сопротивление образца, а не его удельное значение). Термин колоссальное магнетосопротивление используется для отличия от гигантского, наблюдающегося в пленочных структурах, но так же характеризующегося большими величинами ${\delta }_H$ в сравнении с анизотропным магнетосопротивлением.

Материалы

• La_0,67Ca_0,33MnO_y: ${\delta }_H=127000\mathrm{\%}$ при температуре 77 К и ${\delta }_H=1300\mathrm{\%}$ при комнатной температуре
• (Y,Ca)MnO₃ 
• EuTe 
• EuSe: ${\delta }_H\sim 10^{11}\mathrm{\%}$ при гелиевых температурах

См. также

• Анизотропное магнитное сопротивление
• Гигантское магнитное сопротивление
• Туннельное магнитное сопротивление
• Спинтроника

Ссылки

• New Clues to Mechanism for Colossal Magnetoresistance
• Theory group at Oak Ridge National Laboratory
• Physicsweb article February 1999