Результаты поиска

...itaxy; от {{lang-grc|ἕτερος}} — «иной», «различный» и «эпитаксия») — вид [[Эпитаксия|эпитаксии]], когда растущий слой отличается по [[Химический состав|химическ * [[Молекулярно-пучковая эпитаксия]] ...

...на Рис. 1. Чаще всего РБО изготовляются при помощи [[Молекулярно-пучковая эпитаксия|молекулярно-лучевой эпитаксии]] и [[химическое осаждение материалов из газо ...тного технологического процесса самих лазеров путём [[Молекулярно-пучковая эпитаксия|молекулярно-лучевой эпитаксии]]. ...

...щиваемого слоя. Например, в полупроводниковой технологии для выращивания [[Эпитаксия|эпитаксиальных]] слоёв монокристаллического [[Кремний|кремния]] в качестве ...

...КПА, изготовленных на GaAs гетероструктурах методом [[Молекулярно-пучковая эпитаксия|молекулярно-лучевой эпитаксии]] (низкий уровень беспорядка и дислокаций). И ...

...чных структур: [[монокристалл]]ы, [[поликристалл]]ы, [[аморфные тела]] и [[эпитаксия|эпитаксиальные]]. Примеры материалов: [[кремний]], [[углеродное волокно]], * ''Парофазная [[эпитаксия]]'' ({{lang-en|Vapor phase epitaxy (VPE)}}). ...

...е]]. Химическое осаждение осуществляется с помощью [[Молекулярно-пучковая эпитаксия|молекулярно-лучевой эпитаксии]]. Основными материалами, используемыми для с ...

=== Катализируемая металлом молекулярно-пучковая эпитаксия === [[Молекулярно-пучковая эпитаксия]] (МПЭ) с начала 2000-х используется для создания высококачественных полупр ...

...олупроводник]]овых наноструктур. Развиваются методы [[молекулярно-пучковая эпитаксия|молекулярно-пучковой эпитаксии]] светоизлучающих структур на основе SiGe/Si ...е. Основными направлениями деятельности отдела являются развитие методов [[Эпитаксия|эпитаксии]] полупроводниковых гетероструктур на основе In, Ga, Al — As, N и ...

...а) в поверхностный слой материала, например, пластины полупроводника или [[Эпитаксия|эпитаксиальной]] плёнки путём бомбардировки его поверхности пучком [[ион]]о [[Мезотаксия]] (mesotaxy) — это процесс похожий на [[эпитаксия|эпитаксию]]. В процессе мезотаксии рост гетероструктуры, согласованной с па ...

...>2</sub>Se применяется в полупроводниковой промышленности для [[Газофазная эпитаксия#Легирование|газофазного легирования]] [[Полупроводники|полупроводников]] ти ...

* [[Эпитаксия]] ** [[Молекулярно-лучевая эпитаксия]] ...

...руктура|гетероструктуры]]) можно вырастить с помощью [[молекулярно-лучевая эпитаксия|молекулярно-лучевой эпитаксии]] (МЛЭ) или МОС-гидридной эпитаксии. Из-за пр ...

* [[Газофазная эпитаксия]] ...

Слои фторида при этом выращиваются методом [[молекулярно-пучковая эпитаксия|молекулярно-пучковой эпитаксии]] на подложках кристаллического [[кремний|кр ...

...n|Кулешов|с=285|2008}}. По методу формирования переходов БТ СВЧ являются [[Эпитаксия|эпитаксиально-планарными]]. Все БТ СВЧ, кроме самых маломощных, имеют много * [[Эпитаксия|Эпитаксиально]]-[[Планарная технология|планарная]] ...

...|электролитических конденсаторах]]. В микроэлектронике также применяется [[эпитаксия]] оксида алюминия, которая многими учёными считается перспективной, наприме ...

Сущность [[Эпитаксия|эпитаксиального]] наращивания состоит в разложении некоторых химических сое ...

...тины кремния. Обычно кристаллические плёнки получают различными методами [[Эпитаксия|эпитаксии]], то есть послойным осаждением на поверхности [[Подложка|подложк ...ёнке (как при постепенном наращивании мономолекулярных слоёв стандартной [[Эпитаксия|гетероэпитаксией]]), а к разрыву кремния под плёнкой с образованием пор под ...

...ний (П < 30 %) оказался эффективным [[буферный слой|буферным слоем]] при [[эпитаксия|эпитаксии]] монокристаллических плёнок других полупроводников на кремнии. О ...

...нид индия|InAs]]) [[Постоянная решётки|постоянную решётки]], поэтому при [[эпитаксия|эпитаксиальном]] росте в таких структурах возникают сильные [[Механическое ...