Кривая роста (спектроскопия)

Материал из testwiki
Перейти к навигации Перейти к поиску
Общий вид кривой роста

Кривая роста — зависимость эквивалентной ширины W спектральной линии поглощения от количества атомов N, которые поглощают излучение в этой линии. Как правило, о кривых роста говорят в отношении линий поглощения в спектрах звёзд.

Кривую роста делят на три качественно различимых области. При малых N оптическая толщина поглощающего слоя мала, и эквивалентная ширина растёт прямо пропорционально WN — эта часть кривой роста называется линейной. При достаточно большом N оптическая толщина становится больше единицы: центральная глубина линии перестаёт расти, происходит насыщение линии в центре и рост эквивалентной ширины продолжается за счёт крыльев линии. На этом участке кривой роста, называемом пологим, WlnN. При ещё большем N начинают заметно расти части крыльев, описываемые лоренцевским профилем. Эта часть кривой роста называется областью затухания излучения, на ней WN.

Кривые роста можно рассчитать теоретически для различных условий в атмосфере звезды. По ним можно определять содержание тех или иных химических элементов в атмосфере звезды, а сравнивая теоретические кривые роста с наблюдаемыми, можно определять различные параметры атмосферы, от которых зависит вид самой кривой роста — например, температуру или скорость микротурбулентных движений.

Зависимость эквивалентной ширины линии поглощения от числа атомов, её образующих, впервые показал в 1931 году Марсел Миннарт.

Описание

Кривая роста — зависимость эквивалентной ширины W спектральной линии поглощения от количества атомов N, которые поглощают излучение в этой линии[1].

Как правило, о кривых роста говорят в отношении линий поглощения в спектрах звёзд. Излучение, выходящее из фотосферы звезды, имеет непрерывный спектр, но при прохождении его через внешние слои звёздной атмосферы излучение поглощается на некоторых длинах волн — в спектре появляются линии поглощения. В каждой такой спектральной линии излучение поглощается определённым атомом в некотором энергетическом состоянии, поэтому чем больше таких атомов на пути излучения, тем сильнее будет поглощение в спектральной линии[1][2]Шаблон:Sfn.

Кривая роста может быть разделена на три части, в порядке возрастания N: линейную, где WN; пологую, или переходную, в которой WlnN; и область затухания излучения, где WN[1].

Теория

Эквивалентная ширина

Кривая — профиль спектральной линии поглощения. Эквивалентная ширина W — это ширина прямоугольника (зелёный цвет) при условии, что его площадь равна площади над профилем линии (синий цвет).

Для описания интенсивности спектральных линий поглощения используется понятие эквивалентной ширины W: это размер области в длинах волн (Wλ) или в частотах (Wν), в которой непрерывный спектр излучает суммарно столько же энергии, сколько поглощается во всей линии[2].

Более строго W определяется следующим образом. Интенсивность излучения в спектре на частоте ν обозначается как Iν, а интенсивность в таком же спектре при отсутствии рассматриваемой линии — Iν0: для нахождения Iν0 проводится экстраполяция соседних с линией областей спектра на область, где наблюдается линия, как если бы она отсутствовала[2]. Вводится параметр aν=1Iν/Iν0, называемый глубиной линии и представляющий собой долю излучения на частоте ν, которая была поглощена. Тогда эквивалентная ширина связана с ним соотношением Wν=ν1ν2aνdν или Wλ=λ1λ2aλdλ — аналогичные рассуждения можно провести для спектра по длинам волн, а не частотам. Теоретически интегрирование должно производиться от 0 до , но на практике интегрируют на конечном интервале, включающем в себя основные части линии — как правило, ширина интервала составляет не более нескольких десятков нанометров[3]. В то же время aν связана с оптической толщиной поглощающего слоя τν на частоте ν как aν=1eτν, а τν прямо пропорциональна количеству атомов, отвечающих за поглощение в линии, на единицу площади на луче зрения N[4][5][6].

Поведение при малой оптической толщине

В любом случае, когда N мало, то мала и τν во всех частях линии. Тогда aν=1eτν возрастает практически линейно с ростом τν, и, следовательно, WN. Когда оптическая толщина становится достаточно большой, то рост aν в центре линии замедляется, а затем практически останавливается — линейный рост продолжается, пока оптическая толщина в центре линии τ0 по порядку величины меньше единицы[7][8]. Увеличение W замедляется, но не прекращается, поскольку в крыльях — боковых частях линии — τν ещё невелико. Связь между W и N для оптически толстых сред зависит от вида профиля спектральной линии[1][4][6].

Поведение при большой оптической толщине

Как правило, различные механизмы уширения, отдельно взятые, приводят либо к гауссовскому распределению τν (например, тепловое движение атомов), либо к лоренцевскому распределению (к примеру, естественная ширина линии и уширение за счёт столкновений). Совместное действие этих механизмов приводит к образованию фойгтовского профиля, который является свёрткой гауссовского и лоренцевского[9]. Поскольку в лоренцевском профиле крылья убывают гораздо медленнее, чем в гауссовском, то в соответствующем фойгтовском профиле дальние части крыльев в любом случае близки к лоренцевскому профилю. Вид центральной части линии зависит от ширин гауссовского и лоренцевского профилей: если гауссовский профиль значительно шире, то центральная часть фойгтовского профиля будет близка к гауссовскому, и наоборот[6][10].

Гауссовский профиль

Распределение оптической толщины в линии с гауссовским профилем имеет следующий вид[11]:

τ(x)=τ0exp(x2ln2g2),

где τ0 — оптическая толщина в центре линии, gполовинная полуширина линии, x — расстояние до центра линии. Для удобства можно сделать замену u=xln2g, тогда u — расстояние от центра линии в величинах доплеровской ширины, равной g/ln2. Эквивалентная ширина линии с такими параметрами может быть выражена так[7][11]:

W=2gln20(1exp[τ0eu2])du

Интеграл в этом выражении не берётся аналитически, но можно приближённо считать, что при больших τ0, соответствующих насыщенным линиям, подынтегральное выражение близко к 0 при больших u и к 1 при малых. Условием границы между «большими» и «малыми» u можно взять значение u0, при котором τ0eu02=1. Это условие выполняется при u0=lnτ0, так что W с хорошей точностью оказывается пропорционально lnτ0, а значит, WlnN[7]. Приближённое вычисление самого интеграла приводит к такому же результатуШаблон:Sfn.

Лоренцевский профиль

В линии с лоренцевским профилем распределение оптической толщины записывают в виде[12]:

τ(x)=τ0l2l2+x2,

где τ0 — оптическая толщина в центре линии, l — половинная полуширина линии, x — расстояние до центра линии. Для удобства делается замена y=x/l, тогда y — расстояние от центра линии в единицах половинной полуширины. Эквивалентная ширина в этом случае принимает вид[12]:

W=2l0(1exp[τ0y2+1])dy

При достаточно больших τ0 центр линии оказывается насыщенным, а убывание оптической толщины в крыльях происходит приблизительно как y2. Тогда ширина приближённо выражается[7][12]:

W=2l0(1exp[τ0y2])dy

Если сделать замену z2=τ0/u2[7][12]:

W=2lτ00(1exp[z2])d(1/z)

Таким образом, для лоренцевского профиля W растёт пропорциональноτ0, а значит, WN[6][7].

Фойгтовский профиль

Линии поглощения в спектрах звёзд, как правило, описываются фойгтовским профилем, в котором лоренцевская ширина очень мала по сравнению с гауссовской. Это значит, что центральные части линий близки к гауссовским, а крылья — к лоренцевскимШаблон:Sfn.

Таким образом, при достаточно больших значениях N оптическая толщина в центре становится больше единицы, но крылья лоренцевского профиля ещё слишком слабы, и рост W происходит в основном за счёт областей, где профиль линии близок к гауссовскому — пропорционально lnN. При очень больших N дальние части крыльев линии, описываемые лоренцевским профилем, становятся достаточно сильными и W начинает расти приблизительно пропорционально N[1][8]Шаблон:Sfn. Типичное значение оптической толщины в центре линии, при которой происходит переход от пологой части кривой роста к области радиационного затухания, составляет около Шаблон:E[7], хотя оно зависит от отношения лоренцевской и гауссовской ширины: чем больше лоренцевская ширина, тем при меньших τ0 происходит переход[13].

Использование

Кривые роста можно рассчитать теоретически для заданной модели звёздной атмосферы — в общем случае для этого необходимо решать уравнение переноса излучения для заданных условий в атмосфере звезды, таких как температура, плотность вещества и других параметров в зависимости от глубины в атмосфере. Таким образом, сравнение теоретических кривых роста с наблюдаемыми позволяет измерять те параметры звёзд, от которых зависит кривая роста, а эквивалентные ширины линий позволяют определять содержание соответствующих химических элементов[1].

Для отдельно взятой звезды кривая роста определённой линии может быть построена по мультиплетам — наборам спектральных линий, которые соответствуют переходам с общего нижнего уровня. Число атомов N неизвестно для данной звезды, но для всех этих переходов заведомо одно и то же. Кроме того, обычно известны вероятности переходов, поэтому для мультиплета может быть выбрано подходящее семейство кривых роста и определено NШаблон:Sfn.

Вид кривой роста зависит, к примеру, от температуры звезды и от скорости микротурбулентных движений газа в ней. Повышение температуры и увеличение скорости микротурбулентности увеличивают гауссовскую ширину линии, уменьшая при этом оптическую глубину в её центре — при этом эквивалентная ширина остаётся прежней, но насыщение линии и прекращение линейного роста наступает при большем N и при большей эквивалентной ширине[1][14]. Кроме того, микротурбулентность и температура по-разному влияют на кривую роста: при одной и той же температуре атомы разных масс имеют разные средние скорости, и гауссовская ширина линий таких атомов различается. Микротурбулентность же вызывает движение с одинаковыми скоростями — это позволяет разделять эффекты температуры и микротурбулентности[15].

История изучения

В 1931 году Марсел Миннарт впервые показал, как эквивалентная ширина линии поглощения зависит от числа атомов, её образующих. Другие учёные, среди которых были Дональд Мензел и Альбрехт Унзольд, впоследствии дорабатывали теорию кривой роста[16].

Примечания

Шаблон:Примечания

Литература

Шаблон:Спектральные линии

Шаблон:Хорошая статья